Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe

Клевков Ю.В.¹, Колосов С.А.¹, Кривобок В.С.¹, Мартовицкий В.П.¹, Николаев С.Н.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические, фотоэлектрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe с удельным сопротивлением 3.3·10¹⁰ Ом·см при 77 K. Крупнозернистый ZnTe в форме трубки был синтезирован при 730^oC из паровой фазы в спутных потоках компонентов. Рентгеноструктурный анализ показал присутствие монокристаллических зерен как в направлении [111], так и в направлении [100]. Несмотря на неравновесные условия быстрой кристаллизации, измерения методом рентгеновской дифрактометрии показали неплохое кристаллическое качество. Низкотемпературная фотолюминесценция подтверждает упорядоченное распределение примесей в решетке. Набор примесей ограничивается Cu, Ag, Li, O. Спектры фотопроводимости и фотолюминесценции свидетельствуют о наличии малоизученных центров с уровнями в глубине запрещенной зоны. В областях с низкой плотностью двойников наблюдается высокий квантовый выход фотолюминесценции, отсутствие переходов, связанных с комплексными дефектами, наличие собственного излучения, имеющего ярко выраженную поляритонную структуру, проявление богатой структуры двухдырочных переходов, отсутствующих в кристаллах, полученных в процессе медленного роста. PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 72.80.Ey, 78.55.Et

C. Winnewisser, P. Uhd Jepsen, M. Schall, V. Schyja, H. Helm. Appl. Phys. Lett., 70, 3069 (1997)
Q. Wu, T.D. Hewitt, X.-C. Zhang. Appl. Phys. Lett., 69, 1026 (1996)
S.B. Zhang, S.-H. Wei, Yanfa Yan. Physica B, 302--303, 135 (2001)
Alex Zunger. Appl. Phys. Lett., 83, 57 (2003)
Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Status Solidi B, 229 305 (2002)
H. Venghaus, P.J. Dean. Phys. Rev. B, 21, 1596 (1980)
P.O. Holtz, B. Monemar, H.P. Gislason, N. Magnea. J. Luminesc., 34, 245 (1986)
V.S. Krivobok, V.V. Zaitsev, E.E. Onishenko, A.Yu. Sergeeva, V.S. Bagaev. AIP Conf. Proc., 893, 175 (2007)
В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, В.С. Кривобок. ФТТ, 47, 583 (2005)
T. Tanaka, K. Hayashida, M. Nisho, Q. Guo, H. Ogawa. J. Appl. Phys., 94, 1527 (2003)
M. Magnea, J.L. Pautrat, L.S. Dang, R. Romestain, P.J. Dean. Sol. St. Commun., 47 (9), 703 (1983)
В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, С.Г. Черноок, Е.Е. Онищенко. ФТТ, 50 (5), 774 (2008)
P.J. Dean. Phys. Status Solidi A, 81, 625 (1984)
M.J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A.K. Ramdas, S. Miotkowska. Phys. Rev. B, 62, 1866 (2000)
P. Fernandez, J.A. Garcia, A. Remon, J. Piqueras, V. Munoz, R. Triboulet. Semicond. Sci. Technol., 13, 410 (1998)
S. Bhunia, D. Pal, D.N. Bose. Semicond. Sci. Technol., 13, 1434 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель