ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения

Н.В.Сибирев *, В.Г.Дубровский *,+, Г.Э.Цырлин *,+,,
В.А.Егоров *, Ю.Б.Самсоненко *,+,, В.М.Устинов *,+

* Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 4 февраля 2008 г. Принята к печати 11 февраля 2008 г.)

Построена обобщенная модель роста нитевидных нанокристаллов на активированных поверхностях по механизму пар--жидкость--кристалл. Проведены экспериментальные исследования зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au, от скорости осаждения GaAs. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и показано их хорошее соответствие. Показано, что зависимость высоты кристаллов от скорости осаждения имеет максимум, положение которого определяется прочими условиями осаждения и радиусом капли. В случае нитевидных нанокристаллов GaAs со средним радиусом порядка 20 нм указанный максимум соответствует скорости осаждения 0.5-0.6 монослоев в секунду.

PACS: 68.70.+w, 61.46.Hk, 68.55.Ac

 PDF версия (901Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster