ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Роль флуктуаций потенциала в энергетической структуре
квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами

П.В.Петров, Ю.Л.Ив\protectанов , В.С.Михрин, А.Е.Жуков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Проанализирована трансформация спектров фотолюминесценции, связанной с A+-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при изменении степени накачки и температуры. Показано, что в энергетической структуре системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами существенную роль играют флуктуации электростатического потенциала, которые приводят к перераспределению заряда в пространстве и образованию свободных дырок.

PACS: 68.65.Fg, 73.21.Fg

 PDF версия (217Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster