ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экситонные состояния и фотолюминесценция кремниевых и германиевых нанокристаллов в матрице Al2O3

И.М.Купчак, Ю.В.Крюченко, Д.В.Корбутяк, А.В.Саченко,
Э.Б.Каганович , Э.Г.Манойлов, Е.В.Бегун

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 11 сентября 2007 г. Принята к печати 30 октября 2007 г.)

Работа посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию излучательных процессов в нуль-мерных кремниевых и германиевых наноструктурах, состоящих из системы нанокристаллов Si или Ge, погруженных в матрицу оксида алюминия. Пленки Al2O3 с квантовыми точками Si, Ge получены методом импульсного лазерного осаждения. Измерены их спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий фотонов 1.4-3.2 эВ и времен релаксации фотолюминесценции 50 нс-20 мкс. Рассчитаны энергии связи экситонов и энергии излучательных экситонных переходов с учетом конечности высоты барьеров и поляризации гетерограницы. Рассчитаны также спектры экситонной фотолюминесценции с учетом эффекта квантово-мезоскопических флуктуаций и возможной немонотонной зависимости излучательного бесфононного времени жизни экситонов от размеров квантовых точек. Наблюдающееся согласие измеренных и рассчитанных спектров фотолюминесценции позволило подтвердить ее экситонную природу и определить параметры модели фотолюминесценции исследуемых наноструктур.

PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv

 PDF версия (333Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster