ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование свойств эпитаксиального и слиткового
антимонида галлия

В.П.Хвостиков, С.В.Сорокина, Н.С.Потапович, О.А.Хвостикова,
А.С.Власов, Е.П.Ракова, В.М.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 февраля 2008 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией.

PACS: 71.55.Eq, 73.61.Ey, 81.15.Lm, 78.55.Gr

 PDF версия (522Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster