ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Проявление в функции Гоффмана особенностей генерационно-рекомбинационных свойств
бистабильных дефектов в полупроводниках

А.Г.Никитина, В.В.Зуев

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 20 декабря 2007 г. Принята к печати 15 января 2008 г.)

Теоретически исследованы особенности температурной зависимости концентрации свободных основных носителей в полупроводниках при температурной разрядке бистабильных центров различной электрической активности: двухуровневых акцепторов, двухуровневых доноров, амфотерных центров. Прослежено влияние на разрядку уровня компенсации и отношения величин энергий связи одного и двух электронов на центре. Результаты выражены через особенности поведения функции Гоффмана.

PACS: 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji, 71.55.-i

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster