ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge

М.М.Гаджиалиев, З.Ш.Пирмагомедов

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 3 декабря 2007 г. Принята к печати 24 января 2008 г.)

Исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge при 77 и 300 K. Обнаружено слабое изменение прямого и обратного токов гетероперехода в магнитном поле. Установлено, что наблюдаемое изменение токов гетероперехода главным образом обусловлено вариацией потенциального барьера вследствие изменения концентрации неосновных носителей тока с магнитным полем. Найдено, что вольтовая магниточувствительность гетероперехода на порядок меньше, чем вольтовая магниточувствительность германиевого магнитодиода.

PACS: 75.70.Cn, 72.20.My, 73.40.Kp

 PDF версия (102Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster