Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 3 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
Исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge при 77 и 300 K. Обнаружено слабое изменение прямого и обратного токов гетероперехода в магнитном поле. Установлено, что наблюдаемое изменение токов гетероперехода главным образом обусловлено вариацией потенциального барьера вследствие изменения концентрации неосновных носителей тока с магнитным полем. Найдено, что вольтовая магниточувствительность гетероперехода на порядок меньше, чем вольтовая магниточувствительность германиевого магнитодиода. PACS: 75.70.Cn, 72.20.My, 73.40.Kp
- Э.И. Каракушан, В.И. Стафеев. ФТТ, 3, 677 (1961)
- Э.И. Каракушан, В.И. Стафеев. ФТТ, 3, 2031 (1961)
- R. Parshad, S.C. Mehta. Indian J. Pure Appl. Phys., 5, 23 (1967)
- М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов. ФТТ, 3, 677 (1961)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
