ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксационные процессы в проводимости кристаллов Cd1-xMnxTe (0.02)

Е.С.Никонюк\kern1pt, З.И.Захарук\kern1pt*, М.И.Кучма, В.Л.Шляховый, А.И.Раренко\kern1pt*, И.Н.Юрийчук\kern1pt*

Национальный университет водного хозяйства и природоиспользования,
33014 Ровно, Украина
* Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 23 октября 2007 г. Принята к печати 4 декабря 2007 г.)

На основе результатов исследования температурных зависимостей удельного сопротивления и коэффициента Холла в кристаллах твердых растворов Cd1-xMnxTe (0.02) изучены релаксационные процессы в проводимости в интервале температур 200-420 K, которые наблюдаются в кристаллах Cd1-xMnxTe с содержанием марганца x>0.06. В этих кристаллах происходит аномальное изотермическое изменение концентрации дырок на 0.5-3 порядка. Показано, что релаксация удельного сопротивления в указанных кристаллах может обеспечиваться квазихимическими реакциями с участием неконтролируемой примеси Cu и дефектов кристаллической структуры CdTe. PACS: 72.20.My, 72.80.Jc, 82.33.Pt

 PDF версия (212Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster