Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 7 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
Анализируется процесс низкотемпературной релаксации возбужденных состояний доноров V группы в Si, обусловленный взаимодействием связанных кулоновским центром электронов с междолинными фононами. Вычислена скорость перехода из состояния 2p0 в группу состояний 1s(E,T2) при излучении междолинных акустичесих LA-g- и TA-f-фононов для доноров фосфора, сурьмы, мышьяка и висмута. Показано, что TA-f-фононы вносят существенный вклад в безызлучательный распад состояния 2p0, которое определяет стимулированное инфракрасное излучение доноров фосфора и сурьмы в кремнии. PACS: 81.05.Cy, 63.20.Mt, 78.30.Am
- S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
- S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 92, 5632 (2002)
- S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 80, 4717 (2002)
- H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, H. Riemann, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 84, 3600 (2004)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- R.Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, K.A. Kovalevsky, V.N. Shastin, S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Riemann, N.V. Abrosimov, N. Notzel. Appl. Phys. Lett., 90, 051 101 (2007)
- S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 90, 141 109 (2007)
- W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 90 (4), 915 (1955)
- J.C. Hensel, H. Hasegawa, M. Nakayama. Phys. Rev., 138 (4), A225 (1965)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупровдников (М., Наука, 1979)
- C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 5 (3), 645 (1983)
- S. Rodriguez, T. Shultz. Phys. Rev., 178 (3), 1252 (1969)
- П. Ю, М. Кардона. Основа физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
- C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 23, 2082 (1981)
- G. Dolling. IAEA (Vienna), 11, 37 (1963)
- G. Nilsson, G. Nelin. Phys. Rev. B, 6, 3777 (1972)
- P. Giannozzi, de S. Gironcoli, P. Pavone, S. Baroni. Phys. Rev. B, 43, 7231 (1991)
- Е.В. Демидов, М.С. Кузнецов, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин. Матер. X симпоз. по нанофизике и наноэлектронике (ИФМ РАН, Н. Новгород, 13-17 марта 2006) т. 2, с. 320
- A.J. Mayur, M. Dean Sciacca, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B., 48, 10 893 (1993-I)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
