ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких
квантовых ям InAsSb/AlSb

Л.В.Данилов\kern1pt, Г.Г.Зегря\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 30 авгутса 2007 г.)

Исследованы основные пороговые характеристики полупроводникового ИК-лазера на оснвое гетероструктуры с глубокими квантовыми ямами InAs0.84Sb0.16/AlSb. Найдены пороговые концентрации носителей и пороговая плотность тока излучательной и оже-рекомбинации. Показано, что при определенных параметрах квантовой ямы имеет место существенное (на несколько порядков) подавление скорости оже-рекомбинации. Длина волны излучения при этом лежит в интервале значений 2--3.5 мкм, что отвечает среднему ИК-диапазону. В работе также рассчитан внутренний квантовый выход излучения на пороге генерации и продемонстрирована его зависимость от ширины квантовой ямы в пределах области подавления оже-рекомбинации. Кроме того, произведена оптимизация лазерной структуры по числу квантовых ям.

PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 42.55.Px

 PDF версия (339Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster