ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инфракрасные спектры пропускания фотолюминесцентных пленок оксидов с Si-, Ge-квантовыми точками, сформированных импульсным лазерным осаждением

И.П.Лисовский, С.А.Злобин, Э.Б.Каганович\kern1pt, Э.Г.Манойлов, Е.В.Бегун

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 27 июня 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Изучается состав фотолюминесцентных пленок низкоразмерных кремния и германия. Пленки оксидов кремния, германия и алюминия, содержащие Si-, Ge-квантовые точки, получены импульным лазерным осаждением. Измерены инфракрасные спектры пропускания в диапазоне волновых чисел 650-1400 см-1 и спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ при комнатной температуре. Установлены взаимосвязи между условиями формирования пленок, их фотолюминесцентными свойствами и валентными колебаниями связей Si-O-Si, Ge-O-Ge, Al-O.

PACS: 78.55.-m, 78.55.Ap, 78.67.Bf, 78.67.Hc

 PDF версия (325Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster