ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4H

В.В.Козловский, В.В.Емцев *,, К.В.Емцев, Н.Б.Строкан *, А.М.Иванов *,
В.Н.Ломасов, Г.А.Оганесян *, А.А.Лебедев *

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 июля 2007 г. Принята к печати 21 июля 2007 г.)

Впервые проведено сравнение последовательного (до дозы 3· 1016 см-2) воздействия электронного облучения (с энергией 900 МэВ) на образцы, изготовленные из FZ-Si и 4H-SiC (CVD). Измерения на исходных и облученных образцах проводились по методу Ван-дер-Пау (для кремния) и вольтъемкостным методом на частоте 1 кГц (для карбида кремния). Дополнительно, в случае SiC, спектр вводимых уровней дефектов контролировался методом DLTS. Были определены величины скорости удаления носителей и скорости введения дефектов для двух материалов. Было установлено, что скорости введения дефектов в FZ-Si и в 4H-SiC (CVD) близки между собой (~0.1 см-1), что в значительной мере определяется близкими пороговыми энергиями возникновения дефектов.

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster