ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
на стенках мезаполосков

В.В.Лундин\kern1pt, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 апреля 2007 г. Принята к печати 4 мая 2007 г.)

Исследовано влияние состава газа-носителя на анизотропию скоростей роста p-GaN при селективной газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Слои p-GaN номинальной толщиной ~400 нм выращивались на гранях GaN мезаполосков, предварительно сформированных локальной эпитаксией в полосковых окнах в Si3N4. Показано, что при использовании водорода в качестве газа-носителя рост p-GaN происходит преимущественно в латеральном направлении, и на верхних гранях мезаполосков слой p-GaN отсутствует или имеет малую толщину, в то время как при использовании в качестве газа-носителя азота рост в нормальном (0001) направлении доминирует, и слой p-GaN формируется на всех гранях мезаполоска. Результаты исследования свидетельствуют о существенной роли водорода в процессе эпитаксиального роста GaN и могут быть использованы при разработке технологии приборов с p-n-переходами на основе GaN с применением методов селективной эпитаксии.

PACS: 78.55.Cr, 81.05.Ea, 81.10.Aj, 81.10.Bk, 81.15.Gh, 85.60.Jb

 PDF версия (260Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster