ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры

А.П.Астахова, Т.В.Безъязычная\kern1pt*, Л.И.Буров\kern1pt+, А.С.Горбацевич\kern1pt+,
А.Г.Рябцев\kern1pt+, Г.И.Рябцев\kern1pt*, М.А.Щемелев\kern1pt+, Ю.П.Яковлев\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Беларусь
+ Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Беларусь

(Получена 22 мая 2007 г. Принята к печати 28 мая 2007 г.)

Для InAsSb/InAsSbP-диодных лазеров, генерирующих на длине волны 3.1-3.2 мкм, впервые определены скорости излучательной (включая переходы, индуцированные усиленной люминесценцией) и безызлучательной рекомбинации, внутренний квантовый выход люминесценции и матричный элемент для зона-зонных оптических переходов. Установлено, что вклад безызлучательной рекомбинации в порог генерации может составлять 97%. Внутренний квантовый выход люминесценции для соединения InAs0.97Sb0.03 не превышает трех процентов. Вероятнее всего, безызлучательный канал формируется с участием оже-рекомбинации с константой C=4.2· 10-38 м6·с-1 (T=77 K).

Исследованные образцы излучателей характеризуются относительно малыми оптическими потерями rho=900 м-1 и внутренним квантовым выходом генерации на уровне 0.6. Оцененное по скорости излучательной рекомбинации спонтанное время жизни неравновесных носителей заряда равно 6· 10-8 с, что согласуется с известными литературными данными.

PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster