| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (AsSe)(SnSe)(GeSe)
Г.А.Бордовский, Р.А.Кастро, А.В.Марченко, С.А.Немов , П.П.Серегин
Российский государственный педагогический университет,
191186 Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 23 апреля 2007 г. Принята к печати 4 мая 2007 г.)
|
Количественное соотношение в стеклах (AsSe)(SnSe)(GeSe) двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол -квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO, блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. PACS: 61.43.Fs, 76.80+y, 78.66.Jg |
| PDF версия (273Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |