ФТП, 2007, том 41, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Участие электрон-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs. Связь модуляции поглощения со спектром стимулированного излучения в GaAs

Н.Н.Агеева, И.Л.Броневой , А.Н.Кривоносов, Т.А.Налет *, С.В.Стеганцов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 января 2007 г. Принята к печати 23 апреля 2007 г.)

Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая (меняющаяся за ~1 пс) автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов), объясняемых локальными обеднениями заселенностей электронов в зоне проводимости. Экспериментально обнаружено, что расположение выступов на спектре повторяется через интервал, определяемый энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. Это подтверждает сделанное ранее предположение о существенной роли электрон--LO-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения. Полученное ранее представление о связи формы модуляции спектра поглощения с формой интегрального по времени спектра собственного пикосекундного излучения расширено и на тот случай, когда проявляется сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения.

PACS: 42.60.Rn, 42.60.Fc, 42.60.Mi, 42.65.Re, 71.10.Ca, 71.35.Ee, 71.38.-k, 78.30.Fs, 78.45.+h, 78.47.+p

 PDF версия (241Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster