Вышедшие номера
Участие электрон-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs. Связь модуляции поглощения со спектром стимулированного излучения в GaAs
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1, Налет Т.А.2, Стеганцов С.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая (меняющаяся за ~1 пс) автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов), объясняемых локальными обеднениями заселенностей электронов в зоне проводимости. Экспериментально обнаружено, что расположение выступов на спектре повторяется через интервал, определяемый энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. Это подтверждает сделанное ранее предположение о существенной роли электрон-LO-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения. Полученное ранее представление о связи формы модуляции спектра поглощения с формой интегрального по времени спектра собственного пикосекундного излучения расширено и на тот случай, когда проявляется сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения. PACS: 42.60.Rn, 42.60.Fc, 42.60.Mi, 42.65.Re, 71.10.Ca, 71.35.Ee, 71.38.-k, 78.30.Fs, 78.45.+h, 78.47.+p