ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры

В.И.Мурыгин, А.У.Фаттахдинов, Д.А.Локтев, В.Б.Гундырев

Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),
124498 Москва, Зеленоград, Россия

(Получена 14 марта 2007 г. Принята к печати 6 апреля 2007 г.)

Рассчитана емкость барьера Шоттки и p+-n-перехода, в n-области которых имеются мелкие доноры и глубокие акцепторы с уровнями в верхней половине запрещенной зоны. Емкость представлялась в виде двух последовательно расположенных емкостей --- приконтактной области, содержащей только ионы донорной примеси, и переходного слоя на границе объемного заряда с базой диода с учетом концентрации свободных носителей заряда и ее зависимости от потенциала. Оказалось, что емкость переходного слоя в сильной степени зависит от температуры и может увеличиваться с ростом напряжения смещения. Расчетные вольт-фарадные характеристики барьерной емкости подтверждаются результатами экспериментальных работ, даже описывают немонотонные зависимости емкости от напряжения смещения.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Lq

 PDF версия (240Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster