ФТП, 2007, том 41, выпуск 9: page 1135...

ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур $n$ ⁺-Si $-$ SiO₂-n-Si

А.Г.Ждан, Н.Ф.Кухарская, В.Г.Нарышкина, Г.В.Чучева^\kern1pt

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 30 ноября 2006 г. Принята к печати 18 декабря 2006 г.)

Прецизионные измерения динамических вольт-амперных характеристик структуры Al

-n

⁺-Si

-

SiO

₂-n-Si с тонким (

<50

Angstrem) окислом позволяют выделить из полного тока его активную (

I

_a) и емкостную (

I

_c) составляющие. Развит алгоритм анализа последней, обеспечивающий определение в едином эксперименте уровня легирования

n

-Si, \glqq емкости окисла\grqq

C

_i, а также плотности и знака фиксированного в нем заряда. На основании этих данных без привлечения каких-либо подгоночных параметров в поперечных полях

|F|=<q 10

МВ/см рассчитаны зависимости поверхностного потенциала

n

-Si и падения напряжения на окисле

V

_i от потенциала затвора

V

_g. При максимальных

|F|

слоевая плотность электронов (дырок) в

n

-Si превышает

10

¹³ см

^-2, свидетельствуя о вырождении и размерном квантовании электронного газа. По зависимостям

I

_t(V_g) и

V

_i(V_g) реконструированы вольт-амперные характеристики туннельного тока

I

_t(V_i)= I_a(V_i), представленные более чем на 10 порядках величины его изменения, как в режиме обогащения поверхности

n

-Si, так и в режиме инверсии. Наблюдавшиеся характеристики

I

_t(V_i) количественно не описываются в рамках существующих представлений о туннельном эффекте.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 85.30.Mn

PDF версия (299Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster