ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках

В.Н.Брудный\kern1pt, Н.Г.Колин\kern1pt+, Л.С.Смирнов\kern1pt*

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
+ Обнинский филиал ФГУП \glqq НИФХИ им. Л.Я. Карпова\grqq,
249033 Обнинск, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 11 сентября 2006 г. Принята к печати 21 ноября 2006 г.)

Развита модель для численного анализа электрофизических свойств и оценки стационарного (предельного) положения уровня Ферми (Flim) в тетраэдрических полупроводниках, облученных частицами высоких энергий. Показано, что облученный полупроводник является сильно компенсированным материалом, в котором значение Flim тождественно < EG>/2 (здесь < EG> --- средний энергетический интервал между зоной проводимости и валентной зоной в пределах всей зоны Бриллюэна кристалла). Приведены экспериментальные величины Flim, расчетные значения < EG>/2 и данные по электрофизическим свойствам облученных полупроводников. Проанализированы химические тенденции в изменении величины Flim в группах полупроводников с родственным типом химической связи.

PACS: 61.80.Az, 61.82.Fk, 72.20.Dp, 72.20.My, 72.60.+g

 PDF версия (371Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster