ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии
соединений в системе GaN--AlN

А.Н.Алексеев, А.Э.Бырназ, Д.М.Красовицкий, М.В.Павленко, С.И.Петров\kern1pt, Ю.В.Погорельский,
И.А.Соколов, М.А.Соколов, М.В.Степанов, А.П.Шкурко, В.П.Чалый

ЗАО << Светлана-РОСТ>>,
194156 Санкт-Петербург, а/я 29

(Получена 28 декабря 2006 г. Принята к печати 15 января 2007 г.)

Обсуждается влияние условий роста (отношение V/III, температура подложки) на свойства материалов в системе AlN--GaN. Предложена и реализована концепция выращивания многослойной гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN, позволяющая улучшить кристаллическое совершенство и морфологию поверхности слоев. Улучшение свойств GaN в многослойной гетероструктуре AlN/AlGaN/GaN/AlGaN подтверждается значительным увеличением подвижности электронов в двумерном электронном газе, образованном на верхней гетерогранице GaN/Al0.3Ga0.7N.

PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c

 PDF версия (290Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster