ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур

В.Н.Мордкович\kern1pt, А.Д.Мокрушин, Н.М.Омельяновская

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 1 ноября 2006 г. Принята к печати 13 ноября 2006 г.)

Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO2--Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции.

PACS: 73.40.Qv

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster