ФТП, 2007, том 41, выпуск 6
ФТП, 2007, том 41, выпуск 6
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия--цинка
В.К.Комарь, В.М.Пузиков, О.Н.Чугай , Д.П.Наливайко , С.В.Сулима , С.Л.Абашин
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского \glqq ХАИ\grqq,
61070 Харьков, Украина,
НТК \glqq Институт монокристаллов\grqq Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина
(Получена 15 августа 2006 г. Принята к печати 30 октября 2006 г.)
|
Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe (), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения. PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 77.22.Ch |
| PDF версия (239Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |