ФТП, 2007, том 41, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Photoluminescence study on defects in multicrystalline silicon

T.Arguirov\kern1pt$*, W.Seifert\kern1pt$*, G.Jia\kern1pt$$*, M.Kittler\kern1pt$*

$ IHP, Im Technologiepark 25,
D-15236, Frankfurt (Oder), Germany
$$ BTU Cottbus, Konrad Wachsmann Allee 1,
D-03046 Cottbus, Germany
* IHP/BTU Joint Lab, Konrad Wachsmann Allee 1,
D-03046 Cottbus, Germany

(Получена 12 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

We report on spatially resolved luminescence measurements on ribbon grown silicon samples. It is found, that the band-edge luminescence shows anomalous temperature behaviour, namely an increase of the radiation intensity with temperature. Phosphorous diffusion gettering is found to enhance this effect. The anomalous temperature behaviour is attributed to nonradiative recombination governed by shallow traps. A shift in the phonon replica of the band edge luminescence peak has been observed and associated with tensile stress.

PACS: 78.55.Ap, 78.55.Qr

 PDF версия (259Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster