ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением

Э.Б.Каганович\kern1pt, Э.Г.Манойлов, Е.В.Бегун

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 5 мая 2006 г. Принята к печати 19 мая 2006 г.)

Проведены измерения фотолюминесценции с временным разрешением в диапазонах энергий 1.4-3.2 эВ и времен релаксации 50 нс-20 мкс в пленках GeOx (x=<q 2), содержащих нанокристаллы Ge. Пленки получали одностадийным методом импульсного лазерного осаждения из прямого и обратного потока частиц эрозионного факела в атмосфере кислорода и аргона. Исследована зависимость фотолюминесцентных свойств пленок от режимов осаждения и легирования золотом. Полосы фотолюминесценции с максимумами при энергиях 1.42-2.1 эВ --- узкие, медленные, энергетически близко расположенные, в то время как полосы с максимумами около 2.5 и 2.7-2.9 эВ --- широкие, более быстрые, энергетически мало перекрывающиеся. Результаты объяснены в рамках экситонной модели фотолюминесценции квантовых точек Ge, размеры которых определяются условиями их формирования.

PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster