ФТП, 2007, том 41, выпуск 2: page 154...

ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрические свойства изотипных гетеропереходов $N$ ⁺- $GaSb/n$ ⁰- $GaInAsSb/N$ ⁺- $GaAlAsSb$ II типа

М.А.Ахметоглы (Афраилов)^\kern1pt, И.А.Андреев^\kern1pt, Е.В.Куницына, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
^* Улудаг университет, Отделение Физики,
16059 Горакл, Бурса, Турция
Department of Physics, Uludag University,
16059 Gorukle, Bursa, Turkey

(Получена 24 мая 2006 г. Принята к печати 7 июня 2006 г.)

Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур

N

⁺-

GaSb/n

⁰-

GaInAsSb/N

⁺-

GaAlAsSb

. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне

90-300

K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа.

PACS: 73.40.Kp, 79.40.+z

PDF версия (279Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster