ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением

Е.П.Скипетров\kern1pt, А.В.Голубев\kern1pt$, В.Е.Слынько\kern1pt*

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия
$ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах),
119992 Москва, Россия
* Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины,
274001 Черновцы, Украина

(Получена 20 июля 2006 г. Принята к печати 28 июля 2006 г.)

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления.

PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My

 PDF версия (195Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster