ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическое исследование резонансных состояний в GaNxAs1-x

А.А.Гуткин\kern1pt, П.Н.Брунков, А.Г.Гладышев, Н.В.Крыжановская, Н.Н.Берт, С.Г.Конников,
M.Hopkinson\kern1pt*, A.Patane\kern1pt+, L.Eaves\kern1pt+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Department of Electronic and Electrical Engeneering, University of Sheffield,
S3 3JD Sheffield, UK
+ School of Physics and Astronomy, University of Nottingham,
NG7 2RD Nottingham, UK

(Получена 20 февраля 2006 г. Принята к печати 3 марта 2006 г.)

Для обнаружения резонансных состояний в GaNxAs1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. С помощью этих методов в объемных слоях GaNxAs1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около 0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и 80 К находится соответственно на ~1.4 и ~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота.

PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr

 PDF версия (193Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster