Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 10 » Статья стр. 1185
<<<>>>
Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x
Морозова Н.К.1, Каретников И.А.1, Мидерос Д.А.1, Гаврищук Е.М.2, Иконников В.Б.2
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
PDF версия
Исследованы спектры катодолюминесценции поликристаллических CVD-конденсатов ZnSxSe1-x, выращенных с избытком цинка. По положению экситонных полос при 300 K уточнен ход зависимости Eg(x). Подтверждена перестройка спектров при растворении кислорода в решетке под воздействием высоких давлений и температур газостатирования. Выявлена зависимость самоактивированного свечения от состава сульфоселенидов. Для составов, близких к ZnSe, возникает самоактивированная SAL-полоса, а для составов со стороны ZnS наблюдается только коротковолновое смещение SA-полосы, что наиболее типично и для самих соединений. Дано объяснение этим особенностям на основе расчетов равновесия собственных точечных дефектов, влияющих на положение уровня Ферми при отклонении от стехиометрии ZnSe и ZnS. Оценены области спектров, в которых могут наблюдаться полосы кислородсодержащих комплексов SA и SAL в ZnSxSe1-x, зависящие от x и от концентрации кислорода в узлах решетки. Изучено поведение экситонных полос и возникающего инфракрасного излучения в ионах Cu (3d9) после газостатирования. Показано, что изменение ансамбля собственных точечных дефектов при газостатировании определяется увеличением количества дефектов с меньшим объемом, в частности, для сульфоселенидов - SSe. Интерпретация спектров дается на основе теории непересекающихся зон, инициируемых изоэлектронной примесью. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Hf, 81.05.Dz, 81.40.Tv
  1. S. Armstrong, P.K. Datta, R.W. Miles. Thin Sol. Films, 403(404), 126 (2002)
  2. D.S. Patil, C.B. Chaudhari, D.K. Gautam. J. Opt. A: Pure Appl. Opt., 4, 338 (2002)
  3. K. Kassali, N. Bouarissa et al. Mat. Chem. Phys., 76, 255 (2002)
  4. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (1), 25 (2001)
  5. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук и др. Матер. докл. 34 Межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2005) с. 141
  6. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.М. Лисицын и др. ФТП, 39 (5), 513 (2005)
  7. W. Shan, W. Walukiewiz, J.W. Ager et al. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  8. W. Shan, W. Walukiewiz, J.W. Ager et al. J. Appl. Phys., 86 (4), 2349 (1999)
  9. Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина. Высокочистые вещества, N 5, 36 (1994)
  10. В.С. Зимогорский, Н.К. Морозова, Н.А. Яштулов, В.В. Блинов. Матер. докл. 30 Межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000) с. 211
  11. S. Larach, R.E. Shrader, C.F. Stocker. Phys. Rev., 108 (3), 87 (1957)
  12. V. Kumar, T.P. Sharma. Opt. Mater., 10, 253 (1998)
  13. Л.Д. Суслина, Д.Л. Федоров, С.Г. Конников. ФТП, 11 (10), 1934 (1977)
  14. J.H. Song, E.D. Sim, K.S. Baek, S.K. Chang. J. Cryst. Growth, 214/215, 460 (2000)
  15. Atsuko Ebina, Etsuya Fukunaga, Tadashi Takahashi. Phys. Rev. B, 10 (6), 2495 (1974)
  16. В.В. Блинов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  17. Sungun Nam, Jongkwang Rhee, Byungheng O, Ki-Seon Lee. J. Korean Phys. Soc., 32 (2), 156 (1998)
  18. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук., Э.В. Яшина, В.Б. Иконников. ФТП, 38 (1), 39 (2004)
  19. Л.Д. Назарова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1995)
  20. Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.В. Блинов. Неорг. матер., 39 (8), 920 (2003)
  21. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
  22. Ю.А. Пащенко. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1986)
  23. В.С. Зимогорский, А.В. Морозов. Неорг. матер., 29 (7), 1014 (1993)
  24. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Матер. докл. 36 Межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2006) с. 125
  25. Н.К. Морозова, Е.М. Гаврищук., Э.В. Яшина, В.Г. Плотниченко, В.Г. Галстян. Неорг. Матер., 40 (11), 1138 (2004)
  26. N.K. Morozova, E.M. Gavrishchuk, D.A. Mideros. Proc. 2nd Int. Congress on Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials, High Current Electronics, and Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (Tomsk, Russia, 2006) p. 713

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme