ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов

Н.А.Поклонский\kern1pt, Н.М.Лапчук, А.О.Коробко

Белорусский государственный университет,
220030 Минск, Белоруссия

(Получена 6 февраля 2006 г. Принята к печати 16 февраля 2006 г.)

Исследовался кристаллический Si, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией 380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизации Si (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированном Co+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка 170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областей Si (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомов Co и собственных дефектов Si при T=300 K не наблюдалась.

PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs

 PDF версия (189Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster