ФТП, 2006, том 40, выпуск 10ФТП, 2006, том 40, выпуск 10| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Дубровский В.Г. Расчет функции распределения квантовых точек по размерам на кинетической стадии роста | 1153 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Зиминов А.В., Рамш С.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Шаманин В.В., Юрре Т.А. Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах металлофталоцианинов | 1161 |
| Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe | 1167 |
| Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Две серии полос \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия | 1175 |
| Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов | 1181 |
| Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSSe | 1185 |
| Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний в GaNAs | 1192 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе | 1196 |
| Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте InGaN | 1204 |
| Гольдман Е.И. Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов и нейтральных частиц в изолирующем слое на поверхности полупроводника | 1209 |
| Низкоразмерные системы | |
| Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт | 1218 |
| Жигунов Д.М., Шалыгина О.А., Тетеруков С.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Zacharias M. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами | 1224 |
| Антонова И.В., Гуляев М.Б., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Марин Д.В., Ефремов М.Д., Goldstein Y., Jedrzejewski J. Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiO, содержащих нанокристаллы кремния | 1229 |
| Зубков В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона | 1236 |
| Глазов М.М., Голуб Л.Е. Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах со спин-орбитальным расщеплением спектра | 1241 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Бурдиян И.И., Сенокосов Э.А., Косюк В.В., Пынзарь Р.А. Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства AsSe и (AsS)(AsSe) | 1250 |
| Нечитайлов А.А., Астрова Е.В., Кукушкина Ю.А., Каменева С.Ю. Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния | 1254 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц | 1259 |
| Блохин С.А., Сахаров А.В., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Lee G., Chi J.Y. Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек | 1264 |
| Санкин В.И., Шкребий П.П., Лебедев А.А. Эффекты ванье-штарковской локализации в -SiC планарном полевом транзисторе с -переходом в качестве затвора | 1270 |
| Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова О.А., Сорокина С.В., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М. Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия | 1275 |