ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мезоскопические флуктуации проводимости
при обеднении встроенного канала полевого транзистора

Б.А.Аронзон\kern1pt+, А.С.Веденеев\kern1pt*, А.А.Панферов\kern1pt+, В.В.Рыльков\kern1pt+*

+ Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141120 Фрязино, Россия

(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 24 января 2006 г.)

При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Из анализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвора Vg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до ~ 1 мкм.

PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b

 PDF версия (217Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster