Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перенос носителей заряда в структуре с кремниевыми нанокристаллами, внедренными в оксидную матрицу
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology,, Newark, New Jersey, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology,, Newark, New Jersey, USA
Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.
- F. Koch, V. Petrova-Koch. J. Non-Cryst. Sol., 198-- 200, 840 (1996)
- H. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron Dev., 43 (9), 1553 (1996)
- S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe, K. Chan. Appl. Phys. Lett., 68, 1377 (1996)
- I. Kim, H. Han, H. Kim, J. Lee, B. Choi, S. Hwang, D. Ahn, H. Shin. Proc. IEDM Conf. (USA, 1998) v. 98, p. 111
- M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 72, 2577 (1998)
- K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky. Appl. Phys. Lett., 73, 2962 (1998)
- T. Shimizu-Iwayama, D.E. Hole, I.W. Boyd. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 6595 (1999)
- L. Tsybeskov, G.F. Grom, R. Krishnan, L. Montes, P.M. Fauchet, D. Kovalev, J. Diener, V. Timoshenko, F. Koch, J.P. McCaffrey, J.-M. Baribeau, G.I. Sproule, D.J. Lockwood, Y.M. Niquet, C. Delerue, G. Allan. Europhys. Lett., 55, 552 (2001)
- Y. Fu, M. Willander, A. Dutta, S. Oda. Superlatt. Microstruct., 28, 177 (2000)
- T. Baron, P. Gentile, N. Magnea, P. Mur. Appl. Phys. Lett., 79, 1175 (2001)
- Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 92, 3199 (1999)
- L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchetd, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72, 43 (1998)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
- M.H. Cohen. J. Non-Cryst. Solids, 2, 432 (1970); J. Non-Cryst. Sol., 4, 391 (1970)
- B. De Salvo, P. Luthereau, T. Baron, G. Ghibaudo, F. Martin, D. Fraboulet, G. Reimbold, J. Gautier. Microelectronics Reliability, 40, 863 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
