ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перенос носителей заряда в структуре с кремниевыми нанокристаллами, внедренными в оксидную матрицу

Ю.В.Рябчиков, П.А.Форш, Э.А.Лебедев*, В.Ю.Тимошенко,
П.К.Кашкаров, B.V.Kamenev+, L.Tsybeskov+

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology,
07102, Newark, New Jersey, USA

(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 24 января 2006 г.)

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si.

PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.

 PDF версия (131Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster