ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние пассивации поверхности p-CdTe в (NH4)2Sx на вольт-амперные характеристики контактов

Ю.В.Клевков, С.А.Колосов, А.Ф.Плотников

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 24 января 2006 г.)

Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах 300 и 77 K. Контакты были получены химическим осаждением Au на поверхность (111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в (NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при 300 K и лишь незначительно при 77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в (NH4)2Sx уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник.

PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps

 PDF версия (184Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster