ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников в сильных электрических полях

В.Д.Калганов\kern1pt*, Н.В.Милешкина\kern1pt*, Е.В.Остроумова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока,
198904 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 ноября 2005 г. Принята к печати 8 декабря 2005 г.)

Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости.

PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster