ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание и свойства

В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь , И.В.Боднарь +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный технический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220027 Минск, Белоруссия

(Получена 1 декабря 2005 г. Принята к печати 21 декабря 2005 г.)

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 и CuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения.

PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz

 PDF версия (369Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster