ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb

Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев\kern1pt, М.А.Ременный,
Н.М.Стусь, В.В.Шустов, Н.Г.Тараканова \kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ООО << Иоффе-ЛЕД>>,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 декабря 2005 г. Принята к печати 30 декабря 2005 г.)

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса--Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb.

PACS: 85.60.Jb, 78.40.Fy

 PDF версия (328Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster