ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние конструктивно-технологических факторов
на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs

Д.Н.Захаров\kern1pt, В.М.Калыгина, А.В.Нетудыхатко\kern1pt*, А.В.Панин\kern1pt+

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
* Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов,
634050 Томск, Россия
+ Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
634021 Томск, Россия

(Получена 10 октября 2005 г. Принята к печати 8 ноября 2005 г.)

Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл--полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула--Френкеля. При напряжениях выше 60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника.

PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi

 PDF версия (270Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster