Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 6 » Статья стр. 730
<<<>>>
Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe
Косяченко Л.А.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 19 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
PDF версия
Обобщаются литературные данные и сообщаются новые результаты исследования потерь, сопровождающих фотоэлектрическое преобразование энергии в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe. Обсуждаются и уточняются требования к электрическим характеристикам материала, минимизирующие электрические потери и обеспечивающие эффективное поглощение излучения в активной области диодной структуры. Показано, в какой степени неполное собирание фотогенерированных носителей заряда определяется рекомбинацией как на границе раздела CdS/CdTe (исходя из уравнения непрерывности с учетом поверхностной рекомбинации), так и в области пространственного заряда (на основе уравнения Гехта). Сравнение результатов расчетов и эксперимента показывает, что в общем оба вида рекомбинационных потерь являются существенными, но могут быть практически устранены выбором параметров как барьерной структуры, так и используемого материала. Обсуждаются предельные значения плотности тока короткого замыкания и коэффициента полезного действия солнечного элемента CdS/CdTe. PACS: 84.60.Jt
  1. Э.И. Адирович, Ю.М. Юабов, Г.Р. Ягудаев. ФТП, 3 (1), 81 (1969)
  2. K.W. Mitchel, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 48 (10), 4365 (1977)
  3. J.G. Werthen, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 54 (5), 2750 (1983)
  4. Л.А. Косяченко, В.П. Махний, В.Е. Баранюк. Гелиотехника, 5, 17 (1988)
  5. L.A. Kosyachenko, V.P. Makhniy. J. Cryst. Growth, 110, 523 (1991)
  6. J. Britt, C. Ferekides. Appl. Phys. Lett., 62 (22), 2851 (1993)
  7. D.P. Holliday, J.M. Eggleston, K. Durose. J. Cryst. Growth, 186, 543 (1998)
  8. A. Hanafusa, T. Aramoto, M. Tsuji, T. Yamamoto, T. Nishio, P. Veluchamy, H. Higuchi, S. Kumasawa, S. Shibutani, J. Nakajima, T. Arita, H. Ohyama, T. Hibino, K. Omura. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 67, 21 (2001)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N.Y., 1981)]
  10. T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  11. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987). [A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of Solar Cells. Solar Energy Conversion (Academic Press, N.Y., 1983)]
  12. R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci., 27, 625 (1997)
  13. K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
  14. I. Kaur, D.K. Pandua, K.L. Chopra. J. Electrochem. Soc., 127 (4), 943 (1980)
  15. N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, A. Romeo, V. Canevari. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 58, 209 (1999)
  16. G. Agostinelli, D.L. Batzner, M. Burgelma. Thin Sol. Films, 431--432, 407 (2003)
  17. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 82, (1-2), 65 (2004)
  18. Л.А. Косяченко, X. Mathew, В.В. Мотущук, В.М. Склярчук. ФТП, 39 (5), 569 (2005)
  19. J. Fritsche, D. Kraft, A. Thib en, T. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Sol. Films, 403--404, 252 (2002)
  20. C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  21. Л.А. Косяченко, В.П. Махний, И.В. Потыкевич. УФЖ, 22 (3), 476 (1977)
  22. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 189
  23. D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth., A380, 117 (1996)
  24. M. Zha, E. Gombia, F. Bissoli, A. Zappettini, L. Zanotti. Phys. Status Solidi B, 229, 15 (2002)
  25. X. Mathew. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 76, 225 (2003)
  26. Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук, И.М. Раренко, В.М. Склярчук. ФТП, 37 (12), 1420 (2003)
  27. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Phys. Status Solidi C, 1, 925 (2004)
  28. С.С. Девлин. В кн.: Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970). [S.S. Devlin. In: Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland Publishing Company, N.Y., 1967)]
  29. I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Technol., 17, 1064 (2002)
  30. K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer Verlag, N.Y., 1973)
  31. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964). [J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics (Pergamon Press, Oxford, 1962)]
  32. M. Lavagna, J.P. Pique, Y. Marfaing. Sol. St. Electron., 20, 235 (1977)
  33. L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, K.S. Ulyanitsky. Semicond. Sci. Technol., 14, 373 (1999)
  34. W.W. Gartner. Phys. Rev., 116 (1), 84 (1959)
  35. K. Hecht. Zeits. Phys., 77, 235 (1932)
  36. S.O. Kasap. Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices (Prentice Hall, N.J., 2001)
  37. Standard Tables for Reference Solar Spectral Irradiance at Air Mass 1.5. International Organization for Standardization (ISO). www.iso.ch
  38. K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Holliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
  39. B.T. Boyko, G.S. Khrypunov, O.P. Chernykh. Functional Mater., 7, 406 (2000)
  40. P.K. Raychaudhuri. J. Appl. Phys., 62, 2025 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme