ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния gamma-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

А.В.Бобыль, А.А.Гуткин, П.Н.Брунков, И.А.Заморянская, М.А.Яговкина,
Ю.Г.Мусихин, Д.А.Саксеев, С.Г.Конников, Н.А.Малеев, В.М.Устинов,
П.С.Копьев, В.Т.Пунин*, Р.И.Илькаев*, Ж.И.Алферов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ,
Саров, Россия

(Получена 22 ноября 2005 г. Принята к печати 7 декабря 2005 г.)

Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. С помощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит.

PACS: 61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx

 PDF версия (154Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster