ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов

В.Мокеров, Ю.Пожела\kern1pt*, К.Пожела\kern1pt*, В.Юцене\kern1pt*

Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
* Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва

(Получена 21 июня 2005 г. Принята к печати 1 июля 2005 г.)

Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до 35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs.

PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be

 PDF версия (125Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster