"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя
Бойко А.М.1, Сурис Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома --- "двойку", слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa
  • Y. Tokura, H. Saito, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 94, 46 (1989)
  • G.S. Bales, A. Zangwill. Phys. Rev. B, 41, 5500 (1990)
  • И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
  • O. Pierre--Louis, M.R. D'Orsogna, T.L. Einstein. Phys. Rev. B, 82 (18), 3661 (1999)
  • N.C. Bartelt, T.L. Einstein, Ellen D. Williams. Surf. Sci. Lett., 240, L591 (1990)
  • H. Emmerich. Phys. Rev. B, 65, 233 406 (2002)
  • В.В. Воронков. Кристаллография, 15, 13 (1970)
  • В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32 (7), 1323 (1998)
  • V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1154 (1999)
  • V.P. Evtikhiev, A.M. Boiko, I.V. Kudryashov, R.A. Suris, A.N. Titkov, V.E. Tokranov. Solid-State Technol., 17, 545 (2002)
  • W. Burton, N. Cabrera, F. Frank. Phil. Trans. A, 243, 299 (1951)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.