ФТП, 2006, том 40, выпуск 1
ФТП, 2006, том 40, выпуск 1
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении
М.В.Захаров, В.А.Кагадей, Т.Н.Львова, Е.В.Нефедцев, К.В.Оскомов, Д.И.Проскуровский,
С.В.Романенко, Я.В.Фаттахов, И.Б.Хайбуллин
Казанский физико-технический институт Российской академии наук,
420029 Казань, Россия
Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук,
634055 Томск, Россия
(Получена 4 апреля 2005 г. Принята к печати 27 апреля 2005 г.)
|
Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцов Si и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее не приводит к изменению количества дефектов в Si, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью Si. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt |
| PDF версия (331Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |