ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением

С.И.Рембеза, Е.С.Рембеза*,, Т.В.Свистова, О.И.Борсякова

Воронежский государственный технический университет,
394026 Воронеж, Россия
* Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

(Получена 12 апреля 2005 г. Принята к печати 25 апреля 2005 г.)

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом.

PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba

 PDF версия (182Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster