Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 17 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (<10-20 мкм) влияние металлургической границы может проявляться в уменьшении или полной потере фоточувствительности. PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga
- Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., Изд-во МФТИ, 1999)
- В.В. Бузук, А.В. Гусаченко, П.В. Журавлев, Ю.А. Клевцов, Г.И. Косолапов, С.И. Лепин, В.А. Моисеев, Ю.Ф. Однолько, А.С. Терехов, Е.А. Терешин, С.М. Чурилов, В.Н. Федоринин, К.П. Шатунов. 16-я Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., 2000) с. 26
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Вища шк., 1989) с. 97
- I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, O.I. Vlasenko. J. Cryst. Growth, 204 (4), 447 (1999)
- А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.Е. Лопатинский, И.А. Рудый, А.В. Ляшенко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 39, 48 (2004)
- Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений AIIBIV, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 8, с. 278
- O.N. Tufte, E.L. Stelzer. J. Appl. Phys., 40 (11), 4559 (1969)
- V. Sochinskii, S. Bernardi, E. Dieguez. J. Cryst. Growth, 149 (1), 35 (1995)
- В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 31 (5), 523 (1997)
- Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982) с. 103
- Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984) с. 269
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985) с. 7
- E. Finkman. J. Appl. Phys., 50 (6), 4356 (1979)
- А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Укр. физ. журн., 25 (3), 434 (1980)
- В.В. Козелкин, И.Ф. Усольцев. Основы инфракрасной техники (М., Машиностроение, 1967) с. 37.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
