ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe

А.И.Власенко, З.К.Власенко

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 17 марта 2005 г. Принята к печати 20 апреля 2005 г.)

На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (<10-20 мкм) влияние металлургической границы может проявляться в уменьшении или полной потере фоточувствительности.

PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga

 PDF версия (140Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster