ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сопоставительный анализ моделей кинетики распада
молекул силана на поверхности при эпитаксиальном росте
пленок кремния в вакууме

Л.К.Орлов , Т.Н.Смыслова *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Всесоюзный научно-исследовательский институт экспериментальной физики,
607190 Саров, Россия

(Получена 4 апреля 2005 г. Принята к печати 12 апреля 2005 г.)

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. В то же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. В работе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса.

PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs

 PDF версия (308Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster