ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения

А.Е.Кривошеев , Л.И.Иваненко , А.Б.Филонов, В.Л.Шапошников,
Г.Бер *, И.Шуманн *, В.Е.Борисенко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия
* Институт физики твердого тела и материаловедения им. Лейбница,
PF 27.01.16, D-01171, Дрезден, Германия

(Получена 22 марта 2005 г. Принята к печати 8 апреля 2005 г.)

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование термоэлектрической эффективности полупроводникового силицида рутения Ru2Si3. Монокристаллические образцы чистого и легированного марганцем Ru2Si3 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и теплопроводности измерены в интервале 100-900 K. Для кристаллов Ru2Si3, легированных марганцем, коэффициент Зеебека является положительным во всем исследованном температурном диапазоне и достигает своего максимального значения 400 мкВ / K приблизительно при 500 K. Значение коэффициента Зеебека для этих кристаллов при комнатной температуре составляет 300 мкВ / K, что в 2 раза превышает величину для нелегированного материала.

Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеивания, расчет коэффициента Зеебека и термоэлектрической эффективности ZT. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем качественном и количественном соответствии с экспериментальными данными.

PACS: 72.20.Pa, 71.20.Nr, 72.20.Je

 PDF версия (254Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster